GGNMOS有不均匀导通的特点，那请问为什么拉宽Drain可以使其均匀导通呀

拉里kiki · 发表于 2024-7-29 20:35:42

学习一下！

dires1118@126.c · 发表于 2025-1-14 11:40:35

受教了。

lethalkiss · 发表于 2025-1-17 13:34:47

zhangyp 发表于 2023-9-18 20:14
各位，确实这个端口是open drain的端口设计，我这种不加SAB的设计，我是想我的设计针对ESD来说是float gate ...

你是不是finger很多，整个buf的x轴非常长？

Wzx_imos · 发表于 2025-1-21 08:54:31

1. 增大漏极接触孔到栅极的距离，然后中间铺上SAB层，是为了使器件的Vt2>Vt1，从而避免器件出现有些finger无法开启。但是任然是中间指最先开启。（不铺SAB，因为金属硅化物电阻很小，想达到Vt2>Vt1需要拉很长距离，显然是不划算的，既然采用了这种方法都是建议在漏和栅之间铺上SAB层）

2.GCNMOS使得器件导通均匀的原理是在MOS的栅极上耦合一定的电压，使得器件的Vt1减小，最终也达到Vt2>Vt1的目的。但是任然是中间指最先开启，只是为了避免出现有些finger无法开启的情况，开启的先后顺序没法改变。

综上，两者的本质原理差不多（都是为了让器件的Vt2>Vt1），使用的方法不同(一个是增大Vt2，一个是减小Vt1)。
第一种要拉宽漏极需要额外的面积，第二种需要加一个电阻也需要额外面积。

analogicer · 发表于 2025-2-17 11:37:15

zhangyp 发表于 2023-12-1 20:24
兄弟们，我之前没画SAB层导致的ESD问题，我这边重设计了SAB层后，晶圆已经生产出来了，又送去做了ESD，但是 ...

你是只弄了SAB层，原来的D端间距有拉开吗？
此外，还得看是哪里坏了。

jerwei · 发表于 2025-4-26 10:46:31

thanks

jerwei · 发表于前天 16:54

懂了懂了，感谢大佬解惑

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