SMIC.18BCD工艺高压管的问题

zwl_ · 发表于 2023-3-11 17:53:23

卢指导发表于 2023-3-10 11:29
大佬我想问问如果我全都用ldmos管子能不能实现高压呢，如果不行哪里出了问题呢

...

大部分工艺ldmos的栅源不能耐压

卢指导 · 发表于 2023-3-12 12:14:45

卢指导发表于 2023-3-10 11:29
大佬我想问问如果我全都用ldmos管子能不能实现高压呢，如果不行哪里出了问题呢

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自问自答一下，电流不大的情况下vgs确实不会超过5v，但高压管的栅长太小，沟长调制效应太显著，导致电流源无法稳定偏置调节困难，静态不稳定，且增益太小用其做高压rail to rail很困难

cascodeYYDS · 发表于 2023-4-11 11:32:57

andy2000a 发表于 2022-4-6 12:57
Ldmos 去卡高电压阿

你好，我试了下这个结构，去做R2R，但是发现因为输入对管上面保护管的存在，输入共模电平在靠近电源轨的时候，会因为保护管的S端电压（即输入端的D端电压）比栅压更低而进入线性区，跨导骤降，恒定跨导就很难实现了。这个有什么方法吗

xlteam2 · 发表于 2023-4-29 15:31:52

not bad

普雅花 · 发表于 2023-6-9 16:11:27

友友，最后这个问题解决了吗？求帮助

Sxiaojie · 发表于 2023-8-17 14:07:39

andy2000a 发表于 2022-4-8 10:17
A novel low delay high-voltage level shifter with transient performance insensitive to parastic c ...

请问下截图出自哪本书呀，谢谢了

Sxiaojie · 发表于 2023-8-17 14:12:00

white_w 发表于 2022-3-29 19:32
，它这里面有10v的管子，但是N管的HVBN和SUB衬底以及P管的HVBN、PEPI、SUB衬底该怎么接呀
...

看下器件结构图，7T器件除了D S G B，还有PSUB, HVBN, PEPI。HVBN应该接最高吧， PSUB和PEPI接GND.

喵了个木头 · 发表于 2023-8-21 09:06:39

lodestar6666 发表于 2022-3-30 22:07
有些工艺支持VGS高压，但现在很少了。一般高压供电的集成电路内部都有类似LDO的结构，先降压到低压给内部 ...

这种降压的结构一般是什么样的呢

BigJack · 发表于 2024-5-23 02:29:18

我想问一下，当我做了负压处理即psub接了全局最低电位负电压之后，数字电路版图该如何处理呢？因为我无法通过LVS，lvs结果会默认数字电路的vss接到了psub的负电压！同时我想请问下epi层是什么呢？

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