可变截止频率filter线性度一直不好，请前辈们给个意见

taylorjho

设计了一个可变截止频率（截止频率大致在2.5M至50M之间）的低通滤波器，采用MFB架构，通过调整电容阵列C1、C2的值来实现截止频率可变，放大器带宽在2G左右，放大倍数58dB。电容阵列里面的开关采用nmos\pmos互补的结构。采用pss+pac仿真，以截止频率50M的时候为例，得到OIP3大致在30dBm，没达到要求，然后将电容阵列全部替换为一个电容后，OIP3大致在44dBm左右，所以想的可能是电容阵列的问题，可不采用电容阵列就不能实现截止频率可变，所以想请教下前辈该如何改进呢。说明下电容阵列里的开关nmos、pmos参数全采用的L 200n/W 2u Mul 8

jamesccp

要把开关放在摆幅最小的点，才能减小开关非线性的影响。

taylorjho

jamesccp 发表于 2021-3-2 17:52
要把开关放在摆幅最小的点，才能减小开关非线性的影响。

感谢前辈回复，想请教下具体怎么操作呢，电容阵列的位置都是固定的，而且开关就在阵列里面

老尤皮

taylorjho 发表于 2021-3-2 18:41
感谢前辈回复，想请教下具体怎么操作呢，电容阵列的位置都是固定的，而且开关就在阵列里面
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放大器输入端虚短，摆幅最小

taylorjho

老尤皮 发表于 2021-3-2 19:25
放大器输入端虚短，摆幅最小

谢谢前辈指导，但我看了下放大器输入端已经是虚短了

jamesccp

taylorjho 发表于 2021-3-3 13:17
谢谢前辈指导，但我看了下放大器输入端已经是虚短了

减小开关Ron试试

尕子

差分的电容改成单端对地的电容，开关接地选择，这样不知道可以操作不

taylorjho

尕子 发表于 2021-3-23 15:25
差分的电容改成单端对地的电容，开关接地选择，这样不知道可以操作不

哈哈，谢谢前辈指教，之前改成单端对地的电容，确实线性度会好一点，最后没有采用MFB的架构了，采用的two-thomas的架构，那种线性度达到要求了