现在的先进工艺diffusion电阻的性能是不是和poly差不多了？

CWBBest

之前逛论坛的时候大家说一般需要用高性能电阻的场合就会使用poly电阻，因为poly电阻的电压系数和温度系数全面优于其他电阻，而且绝对、相对误差也控制的更好。

但是今天看所使用工艺（TSMC 65LP）的工艺手册的时候发现硅化diffusion电阻和硅化poly电阻给出的电压、温度系数都在一个数量级，甚至diffusion电阻的还要更好一些。对非硅化电阻给出的二者绝对误差也差不多（大约15%~20%）。

是不是poly电阻更优秀是老旧工艺的设计经验，对新的先进工艺不适用了？大家的设计经验是怎样的呢？

CWBBest

话说表格中的Jc、Tc是电压和温度系数的意思吧，也没别的表格指明这两个关键参数了。但这表格是非硅化poly电阻的参数，后缀_o、_w、_n分别代表什么意思呢？

jeffej

depend on fab quality

victor0o0

diffusion电阻主要缺点是电压范围限制、尺寸以及寄生电容吧

CWBBest

victor0o0 发表于 2020-11-30 14:50
diffusion电阻主要缺点是电压范围限制、尺寸以及寄生电容吧

既然diffusion电阻问题这么多，那它存在的意义是什么呢？都用poly电阻不就可以了嘛。因为我看了一下二者在硅化和非硅化状态下方块电阻都在一个数量级上，不像阱电阻那样，虽然性能差但是方块电阻超大。

lodestar6666

CWBBest 发表于 2020-12-1 14:15
既然diffusion电阻问题这么多，那它存在的意义是什么呢？都用poly电阻不就可以了嘛。因为我看了一下二者 ...

有些Poly电阻是选项，如果要用，是需要加钱的。有时候为了节约成本还是会用到扩散电阻的。大多数情况的确都用poly电阻就可以了。

CWBBest

lodestar6666 发表于 2020-12-1 23:32
有些Poly电阻是选项，如果要用，是需要加钱的。有时候为了节约成本还是会用到扩散电阻的。大多数情况的确 ...

原来是这样，感谢。