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查看: 4598|回复: 6

[求助] 东部高科工艺poly电阻和diff问题请教

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发表于 2019-11-12 17:18:36 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 fairchild_bai 于 2019-11-12 17:39 编辑

各位前辈,我在画图的时候跑drc遇到一些问题,工艺是东部高科.18工艺。减小了resistor block,还是会报错,想问问大家这个要怎么改
捕获.PNG
发表于 2019-11-12 17:46:32 | 显示全部楼层
poly电阻的长度大于40um或者小于150um,要求保护环的diff的最小宽度大于1.5um
如果没有大于40um,按照最小宽度就行
 楼主| 发表于 2019-11-12 18:18:04 | 显示全部楼层


18870774480 发表于 2019-11-12 17:46
poly电阻的长度大于40um或者小于150um,要求保护环的diff的最小宽度大于1.5um
如果没有大于40um,按照最小 ...


是电阻的保护环吗?电阻的poly到diff的距离是不是要到10?谢谢您!
发表于 2019-11-12 18:19:35 | 显示全部楼层


fairchild_bai 发表于 2019-11-12 18:18
是电阻的保护环吗?电阻的poly到diff的距离是不是要到10?谢谢您!


如果你把diff改宽到1.5之后不需要到10,你可以自己试一试
发表于 2023-2-1 12:36:40 | 显示全部楼层
你把gurdring拓宽一点,距离高压芯片近一点就行
发表于 2023-2-2 11:09:34 | 显示全部楼层
楼上正解
发表于 2023-2-27 14:42:55 | 显示全部楼层
这种violation, 我们公司就直接waive了。
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