求助！！！

送送送 · 发表于 2019-4-16 12:18:35

看书得知工作在饱和区的nmos管 Id = 1/2gm*vdast，可是我在做仿真的时候仿真出来的id = 32u，gm = 97u ，vdsat = 425.8m，32u = 1/2*97u*425.8m这明显是不相等的啊，这仿真出来的结果不是自我矛盾了么，是我哪里出问题了么，请大家指教

acging · 发表于 2019-4-16 12:18:36

送送送发表于 2019-4-16 13:51
我用的是bsim4模型，是不是拉闸为书上的公式就不适用了

一般来说也是适用的，vdsat建议取100-300mV之间会准一些。
你可以取多个值比较一下。

huangjieg123 · 发表于 2019-4-16 12:28:23

那个叫做长沟道。可能是1um以上工艺吧，.18当然不行

送送送 · 发表于 2019-4-16 12:30:56

huangjieg123 发表于 2019-4-16 12:28
那个叫做长沟道。可能是1um以上工艺吧，.18当然不行

我的沟道长度设置的是4um

acging · 发表于 2019-4-16 13:34:51

这只是个一阶近似公式，vdsat可以调小点再看看。

送送送 · 发表于 2019-4-16 13:51:53

acging 发表于 2019-4-16 13:34
这只是个一阶近似公式，vdsat可以调小点再看看。

我用的是bsim4模型，是不是拉闸为书上的公式就不适用了

送送送 · 发表于 2019-4-16 16:37:23

acging 发表于 2019-4-16 15:58
一般来说也是适用的，vdsat建议取100-300mV之间会准一些。
你可以取多个值比较一下。
...

谢谢

[求助] 求助！！！