片上系统级ESD设计

xihuwang

请有过片上系统级ESD保护设计的大神帮忙看看：      一款接口过压、短路保护芯片，要求系统级ESD保护（IEC61000-4-2 contact 8kV）：
      1、高速端口保护，拟用导向二极管，将ESD电流导向到电源轨。如何降低导向二极管电容？
      2、钳位器件用齐纳二极管辅助触发的NMOS，是否可行？（担心NMOS过流不如SCR，但SCR
           维持电压低，有latch-up问题）
      3、高压钳位用上述齐纳辅助结构的多级串联，是否可行

       请大家帮忙提提意见。如果有相关的paper或资料，也烦请指导。

谢谢！

andyjackcao

请有过片上系统级ESD保护设计的大神帮忙看看：      一款接口过压、短路保护芯片，要求系统级ESD保护（IEC6 ...
xihuwang 发表于 2018/1/21 17:23

                               
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    理论上，采用以上电路结构是可行的，只要NMOS面积足够大；大约可以过40A的电流（TLP测试的电流）以上

xihuwang

回复 2# andyjackcao


   感谢回复。   一般认为GGNMOS的过流能力为3mA/um量级吗？如果是这样，为大于30A，W应大于1000um。
   问题是：
   1、栅极电压一般偏置在多少，1V~2V？如果这样，采用齐纳辅助的结构，实际工作在折返状态，还是
       导通状态？
   2、因为栅极有偏执，是否不会出现非均匀状态？

   烦请再给出指导意见。

谢谢！

xihuwang

大家有做过系统级ESD工程的吗，请大神指点啊。

andyjackcao

回复  andyjackcao


   感谢回复。   一般认为GGNMOS的过流能力为3mA/um量级吗？如果是这样，为大于30 ...
xihuwang 发表于 2018/1/21 22:42

                               
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    GGNMOS放电3mA/um，1000um放电为3000mA,即3A。
    MOS都这么大了，很难均匀得。

ksg12

Power MOS主要是沟道表面导通泄放ESD电流，是统一导通的。