mim电容因天线效应发生击穿问题

forever' · 发表于 2016-6-10 16:13:10

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27 分钟前

如图，这个MIM电容上下极板都用到ME6,ME6就是TOP metal,CTM为上极板，CBM是下极板。
为防止刻蚀过程因antenna引起电容击穿，design rule 规定0.5<T/B<2,T：上极板ME6的面积，下极板ME6的面积.
那么问题来了，电路设计把下极板接GND,在CHIP级，GND 用了大量的ME6,T/B<<0.5,过不了验证，工艺商给的建议是在上下极板接一个diode,只是理想的认为ME6上过多的电荷会通过diode泄放掉，没有designrule 可以检查，也没有说100%能行。
请问工艺商给的建议是否合理，如果合理，为什么电荷优先从diode流过？

zgf85644958 · 发表于 2016-6-28 17:26:28

就先哪个的击穿电压低哪个就先击穿

lzq11878 · 发表于 2016-7-26 14:31:20

antenna diode

lzq11878 · 发表于 2016-7-27 21:32:12

解决天线效应：高层金属跳线，加antenna 二极管。
天线效应是生产的时候积累的电荷，通过二极管泄放掉了就没事了

[求助] mim电容因天线效应发生击穿问题

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