在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
EETOP诚邀模拟IC相关培训讲师 创芯人才网--重磅上线啦!
查看: 2085|回复: 1

[求助] 标准CMOS工艺的参杂浓度参数

[复制链接]
发表于 2014-8-21 16:26:05 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
一般标准CMOS工艺中的衬底掺杂浓度、阱的掺杂浓度以及有源区的掺杂浓度分别是多少,想知道MOS管源、漏区和沟道的掺杂浓度,哪有没相关的文件介绍?
发表于 2014-8-25 23:46:43 | 显示全部楼层
同求
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-12-29 08:48 , Processed in 0.013689 second(s), 7 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表