在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
12
返回列表 发新帖
楼主: hangji85

[求助] NT_N layer的作用

[复制链接]
发表于 2014-9-3 10:56:36 | 显示全部楼层
十楼解释得很正确
发表于 2015-8-24 19:28:34 | 显示全部楼层
回复 10# fuyibin


    对于N-well工艺来讲,比如TSMC65nm 工艺,sub是p-,没有P-well, 这一层是不是可以理解为一种n-注入,中和掉sub中的p-,形成一种 接近本征的半导体呢?
发表于 2024-10-21 11:01:47 | 显示全部楼层


fuyibin 发表于 2014-8-22 12:47
NT_N 是native nmos, 不是不掺杂N, 应该是不做PWELL的psub
由于衬底浓度低,所以做出来的nmosfet Vth比 ...


为啥掺杂浓度低了 Vth会变小呢
发表于 2024-10-24 20:26:55 | 显示全部楼层
加这个层次没有注入,高阻,可用与隔离
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

×

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-22 08:49 , Processed in 0.015167 second(s), 7 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表