MOS管阈值电压及电源电压大小和功耗及速度的关系

荆棘鸟OO · 发表于 2014-4-9 14:52:22

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最近做低功耗设计，有一点不太明白。资料上说，提高阈值电压或降低电源电压能减小泄漏电流，但管子的速度会降低，有大侠能讲解一下这其中的原理吗？

小干爹z2z · 发表于 2014-4-10 09:21:07

看课本吗这种基本的学术性的问题吗自己可以解决看好你

荆棘鸟OO · 发表于 2014-4-10 09:42:29

回复 2# 小干爹z2z

我翻过一些资料，只找到了漏电流跟阈值电压和电源电压之间的公式，大致是与阈值电压成反比，与电源电压成正比的关系，但还是不明其中原理。嗯，还是接着查资料吧。

macherie · 发表于 2014-4-11 21:18:23

很简单的～～推荐你看下模拟CMOS集成电路设计

lxxbwst · 发表于 2014-4-12 11:11:54

简单的说，晶体管像一个电容，电容的电压充到阈值电压才能导通，你阈值电压高了不是要充的更久了；vdd低了不是充电慢了...

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