ESD保护二极管反向击穿

max_max · 发表于 2017-9-2 00:44:22

会不会有latchup的可能,ESD触发回扫时你的holding voltage<(VDD-VSS),具体还要看版图结构.

jiangbing1975 · 发表于 2017-9-5 15:52:57

我分析是power clamp不够好（开启速度慢、hold电压高）造成了IO处的反偏diode承受过高的电压所致。

7878678 · 发表于 2017-10-9 15:54:33

耐壓不夠

copper_hou · 发表于 2017-10-11 14:57:51

回复 11# ruinsnku
分析得在理。补充一下，
楼主用得ESD stress应该是基于IEC 61000-4-2的330ohm-150pF的静电发生器，这个ESD脉冲已经是很高频率（20MHz以上）的信号了，此时的静电释放分析就不再是单纯的电阻了，还要考虑二极管的结电容与线路的电感（线路越长，感抗越大）。所以，实际上ESD脉冲通过正向二极管释放的电抗（阻抗+容抗+感抗）已经不小了，而此时的正脉冲电压超过了反向二极管的击穿阈值，那会首先击穿反向二极管的。

hd09876 · 发表于 2017-12-11 18:57:00

学习学习

306836621 · 发表于 2020-5-11 12:11:38

多谢分享和回复。

yxw6 · 发表于 2020-5-12 23:20:28

进来学习

521lkh · 发表于 2020-7-8 16:55:26

看电路图，理论正stress信号的泄放路径为上面的C-diode-----power clamp-----GND,,,,,,,,,,,但是你说的下面的反偏二极管被烧毁了，这是不合理的，是不是说明上面的理论泄放通路没有起作用，这个保护电路有问题，，，个人陋见

mary1103 · 发表于 2020-10-20 21:36:03

学习

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