芯片加脉冲群干扰或接触放电后的latch up问题

zyp96

我设计过的IC，也出现过latchup问题，若外加脉冲信号，则容易产生电流大，重新上电即可变好；比较几个差不多的产品后，我认为主要是ESD的NMOS离内部电路太近导致，因我们产品为了节省成本，以前每个PAD都做双边保护管，就是做一个PMOS和一个NMOS，但现在改面积小，就只做一个NMOS了，所以NMOS就离内部电路近了；同时，ESD的走线一定要和内部的电路的走线分开！这样就可避免，其他的多打孔和做保护环当然好，但做不好上面2样，其他的都是白搭！