关于开关电容中的沟道电荷注入效应，有一个问题请教各位！

xljin2008 · 发表于 2012-12-26 10:38:25

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在如图所示的采样电路中，书上都会提到沟道注入效应，即MOS管由闭合变为关断时，沟道的电荷会注入到Ch和Vin. 我的问题是：与沟道电荷相对应的应该是MOS管栅极上的反向电荷，所以当MOS管关断时，沟道中的电荷应该经由硅体、外电路（如连接硅体和栅的电源）与栅上的电荷中和，而不是注入到Ch和Vin。这就是我的问题，请教各位了！