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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › Analog/RF IC 设计 › Analog/RF IC 设计讨论 › LDMOS和普通高压MOS管有什么区别？
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楼主: fumes

[求助] LDMOS和普通高压MOS管有什么区别？

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Halsone
发表于 2024-8-30 16:29:18 | 显示全部楼层
看看
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沃克斯万根
发表于 2024-10-22 13:39:01 | 显示全部楼层
学习了
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zhizhuozxd
发表于 2024-11-8 16:35:44 | 显示全部楼层


jianjing526 发表于 2012-10-19 14:21
以NMOS为例，普通HVMOS靠轻掺杂的N-区域（Drift/HVN/HVNWELL）和psub形成的结来耐压，耗尽层在psub中（即沟 ...


可以帮忙解释一下轻掺杂的N-区域（Drift/HVN/HVNWELL）和psub形成的结是怎么耐压的么?
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