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[原创] 双端口RAM的问题

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发表于 2011-8-1 11:46:49 | 显示全部楼层 |阅读模式

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双端口RAM同时对同一地址读写,两个输入时钟是同频同相位,那么这个时候会不会造成RAM的读写冲突?要在设计当中避免这种情况?芯片综合之后的netlist关掉timing check仿真功能正确,发现此时读出的值是该地址上次写入的值而非同时写入的值,但是PR之后的post-sim时候,由于在RAM的仿真文件当中有关于两个clk跳变沿不能相距太近的(3ns)检查,所以此时读出的数据为X,那么真实的RAM是如何处理这种情况的?
发表于 2011-8-1 13:01:44 | 显示全部楼层
在RAM的datasheet里面,对这种特别的读写应该有专门的时序说明,满足了那个要求,就不会有问题。
但是,对后端的时许收敛是个挑战,没有特别的需要,建议在写RTL时,避免这种情况发生
发表于 2011-8-1 18:37:46 | 显示全部楼层
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