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关于IDD过大问题。

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发表于 2008-12-29 17:51:20 | 显示全部楼层 |阅读模式

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设计电路中存在IDDON)电流偏大问题。电路正常工作时刻IDD电流为设计值为70uA,实测只有10%正常,其余为100-500uA。经测试,电路电流是功率管栅极GATE流到地的电流。
按照电路设计,功率管栅压是由电源到地的电阻分压所产生的。电路如下图所示:




GATE信号的变化状态如下:



如上图所示,GATE信号是电源-地电阻的分压,开始时刻为电源电压,随着时间推移选取更低的分压,当电路建立完成之后最终稳定在GND电位。GATE信号仅是电阻分压信号提供,没有其他信号源。
实际测试中,令VDD=5V。当电路建立完成之后,测试GATE点电压并不为0(理论上是0),而且并不统一有大有小。当VGATE=0.1VIDD约为170uA;当VGATE=0.3VIDD约为370uA。从GATE端串一个电流表到地,直接有几百uA电流流过,大小和VGATE大小有关。当VGATE=0.1VIGATE约为100uA;当VGATE=0.3VIGATE约为300uA
如电路图,把A点两端断开,电路中IDD立刻正常恢复为70u,测量GATE电压为5V。此时,把GATE端接VDD,并没有任何电流变化;把GATE端接GND,直接有几百uA电流流过。
一般情况下,GGATE电压是相同的。通过改变电路状态,当G=0VGATE=5V时,IDD=70uA,参数正常;当G=5VGATE=5V时,IDDOFF=0,参数正常。

经过以上测试结果,IDD过大的电流是从GATE端有电压所产生的,从电路分析没有可能产生;版图功率管部分也没有明显问题。请问各位高手有没有遇到过这样的问题,功率管栅上的电压是哪里引起的?
附上部分功率管版图,隐去了Metal2,整个区域都被Metal2覆盖。Metal1所在的那条线就是GATE,整个功率P管做在N阱中。个人认为是poly1Active之间距离太小引起的,不知是否如此?如何解释功率管栅极上的电压?

图片在附件中。

关于ML819L工作电流IDD大的问题.doc

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 楼主| 发表于 2009-6-26 11:04:46 | 显示全部楼层
怎么没有人回答,最后的解决方案定为增大nwell之间的间距。
发表于 2014-12-12 10:35:07 | 显示全部楼层
学习了,谢谢!
发表于 2017-1-5 16:27:38 | 显示全部楼层
三态传输门的控制端不是应该接到反相器的输入输出端吗?还是现在的连接方式有其他的解释?
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