THD受密勒电容影响

fj4245 · 发表于 2013-5-29 21:57:15

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本帖最后由 fj4245 于 2013-5-30 17:41 编辑

我现在在调一个class AB，遇到了一个很奇怪的问题，在电路中我采用了floating voltage来偏置输出管，我发现跨接在输出PMOS管上的密勒电容会降低低输出电压（输出电压为0.8V）时的THD，而跨接在输出NMOS管上的密勒电容会降低高输出电压(输出电压为2V)时的THD，(密勒电容越大对应的thd越低)。这是为什么呀？或者说是密勒电容会影响哪一种因素，而这种因素又影响了THD？

fj4245 · 发表于 2013-5-30 12:26:08

回复 4# mcgrady

电容就是密勒电容，带宽有7M左右，信号频率是10K的。

fj4245 · 发表于 2013-5-30 12:29:23

回复 3# gaojun927

为什么SR越大，越容易产生谐波呢？那我是不是要把GBW给调小，那SR就小，谐波就小？

fj4245 · 发表于 2013-5-30 16:20:44

回复 9# gaojun927

可能我哪里没有说清，THD我用的是db的单位，所以THD越小，就是说失真越大。那按你的说法是要把GBW调大吗？可是我GBW一大，PM就掉下来了，这关键点要调什么？

fj4245 · 发表于 2013-5-30 16:28:24

回复 8# xushuainju

1. 频率点是指我输入信号的频率吗？这个我都是以10khz为输入，是不变的，变的是输入的幅度，低幅度受PMOS的密勒电容影响，高幅度受NMOS的密勒电容影响。所以你说的频率不同，零极点距离不同应该是没有什么关系的吧？ 2. 我用的是cadence的calculator中的dft算出来的，变大变小都是以同一种方式计算所得，所以不存在由于计算方式不同出现的偏差。

fj4245 · 发表于 2013-5-30 17:40:56

本帖最后由 fj4245 于 2013-5-30 17:51 编辑

回复 13# mcgrady

电容是mos电容，低幅度是0.8V，就是输出摆幅是从-0.4~0.4. 摆幅增大的时候没有管子进入线性区，而且我现在仿出来的THD，输出为4V的比输出为0.8V还大。

fj4245 · 发表于 2013-5-31 12:24:23

回复 15# mcgrady

10K的频率不慢吧，音频信号就从20~20Khz而已呀，直流增益有97db

fj4245 · 发表于 2013-6-2 15:37:48

回复 18# icdane

我试了理想电容，确实好了很多，不会有很明显的变化，这是为什么呀？

fj4245 · 发表于 2013-6-3 16:06:34

回复 21# icdane

就是如果不是理想电容，电容变小会导致THD变好，而理想电容的值变化，对THD没有什么影响，所以说没有明显变化

fj4245 · 发表于 2013-6-6 10:07:38

回复 23# icdane

请问一下device cap是什么电容，我看design rule里面就一些gate cap/well cap/junction cap，我想问一下这些电容都有什么差别？或者说你是否有什么资料有介绍的这些集成电容的呢？谢谢了

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