面试被问到：增加decap会减小IR_drop，会带来什么影响？

zhangqiong137 · 发表于 2012-11-7 15:44:44

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本帖最后由 zhangqiong137 于 2012-11-7 21:29 编辑

面试中被问到，为了降低IR_DROP，可以增加decap，但是增加的decap会带来什么影响？当时就只知道会影响电路的时序，因为增加decap会增加负载电容。面试官问还会影响什么，我就没有回答上来。
难道是因为decap中存在metal 1 会对SI有影响，希望大牛能赐教，不胜感激！

zhangqiong137 · 发表于 2012-11-7 16:22:00

影响：
面积大，占用size
边泄漏功耗产生

作用：
会减小noise，稳定电压
xjg@hmes 发表于 2012-11-7 15:57

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为什么会有“边泄漏功耗产生”？

zhangqiong137 · 发表于 2012-11-7 17:42:56

回复 4# xjg@hmes

我知道为什么了，谢谢了！

zhangqiong137 · 发表于 2012-11-7 21:08:15

DCAP is built from MOS transistor and used mos gate cap, the gate leakage of dcap is a significant c ...
yohuang 发表于 2012-11-7 18:45

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能不能详细解释一下decap对ESD的影响，谢谢！

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[求助] 面试被问到：增加decap会减小IR_drop，会带来什么影响？

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