一个layout上的两个NMOS接不同的substrate 电压

danglang

工艺中带dnwell，这也算单井工艺吧？

一般情况下这个dnwell能有多深啊？比如0.18um的工艺。在后期磨片的时候，dnwell的墙能够把内外完全隔离开吗？

如果这个dnwell不够深的话，那么内外部分的P衬底不是还是会短路的吗？这样的话，还能起到隔离作用吗？