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[求助] 一个layout上的两个NMOS接不同的substrate 电压

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发表于 2014-5-1 13:17:37 | 显示全部楼层 |阅读模式

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RT。怎么能够把井区分开呢?
发表于 2014-5-1 21:55:49 | 显示全部楼层
deep nwell
 楼主| 发表于 2014-5-1 22:21:34 | 显示全部楼层
回复 2# semico_ljj

跪谢!
发表于 2014-5-5 17:42:18 | 显示全部楼层
其中一个坐在深阱里面
发表于 2014-5-11 00:36:11 | 显示全部楼层
本帖最后由 max_max 于 2014-5-11 17:01 编辑

Nwell能做NMOS?求解。如果你用的单阱CMOS工艺,nmos的bulk连接是分不开的。哪怕你连某个非地信号,也是一个softconnect,这些信号连接到PCB上都是同一个GND。如果是双阱工艺的话可以用P阱隔开,这里的P阱是重掺杂的,而不是单阱工艺里面轻掺杂的P型衬底。
发表于 2014-5-12 09:39:05 | 显示全部楼层
工艺有自隔离NMOS么?
发表于 2014-5-12 13:08:41 | 显示全部楼层
回复 5# max_max


  谁说在nwell上做nmos了?人家说的是这个

悬浮PW(DNW)示意图.xls

12 KB, 下载次数: 129 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

发表于 2014-5-13 22:39:48 | 显示全部楼层
用双井工艺就可以区分两个nmos的沉底了
发表于 2014-5-15 23:02:51 | 显示全部楼层
工艺中带dnwell,这也算单井工艺吧?

一般情况下这个dnwell能有多深啊?比如0.18um的工艺。在后期磨片的时候,dnwell的墙能够把内外完全隔离开吗?

如果这个dnwell不够深的话,那么内外部分的P衬底不是还是会短路的吗?这样的话,还能起到隔离作用吗?
发表于 2014-5-17 07:09:43 | 显示全部楼层
还有一种技术,就是非常昂贵,FDSOI技术,
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