请教一个基本电路问题，比较这两个电路

lee88290743 · 发表于 2012-4-9 08:32:20

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比较两个电路

这两个电路中的pmos和nmos所加的偏置电压相同，vdd相同。nmos的尺寸相同（30/1.2），唯一的区别是第一个图中是单个pmos（24/1.2），第二个图中是两个并联的pmos，尺寸减半（12/1.2）。
请问两图中的电压和电流有何不同，为什么？

lee88290743 · 发表于 2012-4-9 10:56:14

回复 3# wind2000sp3

谢谢，不过我发现我用的model好像在小尺寸的情况下，这两个电路仍然有不同，只不过差距小一点而已。
单从公式上分析，file:///C:/Users/Ritchie/AppData/Local/Temp/moz-screenshot-1.png
两者应该是一样的。

请问前辈，model上的差别主要是由于什么造成的呢？？从工艺，物理层怎么理解？？

lee88290743 · 发表于 2012-4-9 11:06:27

再附上一张DC工作点的图

望各位大牛指点迷津啊！

lee88290743 · 发表于 2012-4-9 11:09:05

回复 5# semico_ljj

lee88290743 · 发表于 2012-4-9 23:39:12

回复 8# lakeoffire

vth 确实有微小的差别,不过这也是正常的,不至于对电路有这么大的影响吧.

lee88290743 · 发表于 2012-4-9 23:42:41

回复 12# s2is

在这两个图里,他们都是饱和的,你看一下vds和vgs就知道了

lee88290743 · 发表于 2012-4-9 23:54:05

回复 10# lixiaojun707

对,我做这个的就是为了仿真schematic和layout的区别,在这个电路中0.5v可能还没什么.
可我做的一个3级放大器schematic跑的好好的.画完版图仿了一下提取的网表,结果第三级就不饱和了.感觉很奇怪,觉得差别有点太大了

lee88290743 · 发表于 2012-4-10 00:02:42

回复 13# 敏兹

我想知道为什么lamda是不同的,W不同,但L都是一样的,Leff不也应该是一样的么?

lee88290743 · 发表于 2012-4-10 00:11:09

回复 11# wind2000sp3

说得太好了,我先找本modeling的书看看.
不过先说一下我遇到问题吧:

设计了一个三级运放,schematic仿真结果挺好,画了一个layout,仿extracted,结果没有增益了,检查了电路节点,发现工作点跑偏了,原因是fingers造成的,于是反过来仿了一个基本的schematic(如上图),发现原来model本身就是这样的,觉得很郁闷,不知道为什么会这样?

lee88290743 · 发表于 2012-4-10 06:04:08

回复 21# hezudao

那是为什么呢?请高人指点.我的layout应该没问题,LVS,DRC都过了.提取的寄生参数只包含电容

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