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[求助] 片外电容的LDO

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发表于 2023-11-10 13:53:55 | 显示全部楼层
本帖最后由 mmkyy 于 2023-11-10 13:55 编辑

有这种LDO,这种LDO的好处是片外电容变化范围可以做的比较大,减小负载变化的影响。
主极点在图中的N1节点。需要注意M3的gm稍微取大点,不然会有额外的零点掉进低频。buffer的作用是降低N2点的阻抗,把N2点极点推到GBW外。
worst case在轻载时出现,这时候输出节点的阻抗最大。可以把反馈电阻取小一点,用额外的功耗来换轻载时的稳定性

点评

gm3做大的原理可以详细讲讲吗?  发表于 2024-7-27 16:43
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发表于 2023-11-10 13:56:36 | 显示全部楼层
R1上再并一个小电容,引入一个前馈零点,可以再提高相位裕度
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发表于 2024-8-14 10:03:27 | 显示全部楼层


   
evade 发表于 2023-11-10 14:24
嗯嗯,感谢指导,但还有一点问题,就是如果直接不要buffer这一级,功率管直接跟第一级输出相连的话,主极 ...


你说的没错,但从稳定性角度考虑,不一定需要buffer。这里buffer还可以提高驱动能力,提高瞬态响应速度
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发表于 2024-8-14 10:06:25 | 显示全部楼层


   
mmkyy 发表于 2023-11-10 13:53
有这种LDO,这种LDO的好处是片外电容变化范围可以做的比较大,减小负载变化的影响。
主极点在图中的N1节点 ...


可以参考下这篇论文

2009_Issues in “Ahuja” Frequency Compensation Technique.pdf

1014.77 KB, 下载次数: 34 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

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发表于 2024-8-14 13:15:41 | 显示全部楼层


   
evade 发表于 2023-11-9 21:12
有大佬了解Ahuja频率补偿吗?


来个传送门
https://bbs.eetop.cn/forum.php?m ... DM4fDk1OTEzNQ%3D%3D

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