请问一下40纳米工艺下p/n mos与18纳米下为什么在版图中的样子差别怎么那么大

jiangbo321 · 发表于 2022-9-12 10:36:58

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

×

本人刚入行一个小白，还是一个学生，以前只画过18纳米的微信图片_20220912103001.png

这是一个40纳米下的PMOS 为什么两边会多两根GT？源漏打孔的金属线为什么还超出了AA区？怎样去理解这个MOS管呢？有点白痴的问题，望大家指导一下，万分感谢！！！！！！！！！

jiangbo321 · 发表于 2022-9-14 10:08:38

hustjzr 发表于 2022-9-12 18:58
SIMC40左右的poly是dummy，你可以简单理解为，如果没有这两个dummy，中间poly的光刻可能误差会变大。如果具 ...

谢谢

jiangbo321 · 发表于 2022-9-14 10:11:25

小李真帅啊发表于 2022-9-13 15:02
关于金属为什么会超出AA区域，这是由金属1最小线宽，以及金属一包CT孔的向外扩展的最小宽度决定，比如smic ...

谢谢

账号		自动登录	找回密码
密码			注册

[求助] 请问一下40纳米工艺下p/n mos与18纳米下为什么在版图中的样子差别怎么那么大