请问一下40纳米工艺下p/n mos与18纳米下为什么在版图中的样子差别怎么那么大

jiangbo321 · 发表于 2022-9-12 10:36:58

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本人刚入行一个小白，还是一个学生，以前只画过18纳米的微信图片_20220912103001.png

这是一个40纳米下的PMOS 为什么两边会多两根GT？源漏打孔的金属线为什么还超出了AA区？怎样去理解这个MOS管呢？有点白痴的问题，望大家指导一下，万分感谢！！！！！！！！！

hustjzr · 发表于 2022-9-12 18:58:28

SIMC40左右的poly是dummy，你可以简单理解为，如果没有这两个dummy，中间poly的光刻可能误差会变大。如果具体想要了解，需要看一下先进工艺下的集成电路制造工艺相关的书籍。

hustjzr · 发表于 2022-9-12 19:11:38

如果工艺制程继续向下走，例如28nm，在用DUV光刻机，还得要用浸润式光刻，以及double partern，把同样的poly分成两个MASK，分别光刻，才能实现那么精细的几何尺寸。对于180nm的MOS，如果你见过pcell，左右一般都是不带dummy poly的

Wade_Wen · 发表于 2022-9-12 19:51:19

180nm，不是18nm

胖瓜子 · 发表于 2022-9-12 21:32:34

学习了

dudulu · 发表于 2022-9-13 08:38:05

学习了

一口吃不成瘦子 · 发表于 2022-9-13 13:38:26

学到了

ncash0933 · 发表于 2022-9-13 13:47:19

顶一下

小李真帅啊 · 发表于 2022-9-13 15:02:13

关于金属为什么会超出AA区域，这是由金属1最小线宽，以及金属一包CT孔的向外扩展的最小宽度决定，比如smic工艺下CT边到M1的extension最小为0.025um，这种情况下，M1的宽度它基本上就必须大于某个值，超出去也就很正常了；by the way，M1超出去也没什么大不了的。

jiangbo321 · 发表于 2022-9-14 10:08:38

hustjzr 发表于 2022-9-12 18:58
SIMC40左右的poly是dummy，你可以简单理解为，如果没有这两个dummy，中间poly的光刻可能误差会变大。如果具 ...

谢谢

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