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[求助] BCD工艺负压问题

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发表于 2025-5-15 20:00:31 | 显示全部楼层 |阅读模式

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请教各位前辈,在BCD工艺中,总是会听说N型弱节点要远离负压,否则会被抽、抽负,这个抽负是什么意思呢?在我理解中,负压N埋层、PSUB、N型弱节点分别组成三极管的发射极、基极、集电极,发射结正偏,集电极反偏,处于放大状态,电流从N型弱节点流向负压。可是当N型弱节点被抽到无法正偏时,比如小于0.7V,已经不处于放大状态,怎么被抽负呢?处理这类负压的措施是什么?
 楼主| 发表于 2025-5-16 17:06:57 | 显示全部楼层


   
peterlin2010 发表于 2025-5-15 21:10
driver chip ??  
你先确定 bcd 有没 iso bjt ..有些有 iso nmos , iso_pmos .但 bandgap  bjt 没  iso .. ...


谢谢peterlin的回复,确实是driver chip,这个工艺有iso bjt的。请问NBL埋层负压是怎么影响其他N型结点呢?我知道的结论是N型结点会被抽负,成为一个新的负压。
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