BCD工艺负压问题

dddogda

请教各位前辈，在BCD工艺中，总是会听说N型弱节点要远离负压，否则会被抽、抽负，这个抽负是什么意思呢？在我理解中，负压N埋层、PSUB、N型弱节点分别组成三极管的发射极、基极、集电极，发射结正偏，集电极反偏，处于放大状态，电流从N型弱节点流向负压。可是当N型弱节点被抽到无法正偏时，比如小于0.7V，已经不处于放大状态，怎么被抽负呢？处理这类负压的措施是什么？

ZAI_AI

同问？？

peterlin2010

driver chip ??  

你先确定 bcd 有没 iso bjt ..有些有 iso nmos , iso_pmos .

但 bandgap  bjt 没  iso ..那 bandgap 没法bjt 去做 .

Zener 也须小心, 很多 zener 第三端 只能 psub , 如果 psub =sutrate 且负压  在打负压过程中 电位”floating”   除 latch Up .  psub 负压如有 ripple noise 那很致命的

1. psub = negative voltage负压

use iso device

psub = neg voltage
iso_nmos ,  dnw => avdd


should be careful "Latch Up"  , initial step , psub ,maybe =0v


2. psub =0v

  internal HVPW => negative voltage

  dnw /HVNW => avdd

dddogda

peterlin2010 发表于 2025-5-15 21:10
driver chip ??  
你先确定 bcd 有没 iso bjt ..有些有 iso nmos , iso_pmos .但 bandgap  bjt 没  iso .. ...

谢谢peterlin的回复，确实是driver chip，这个工艺有iso bjt的。请问NBL埋层负压是怎么影响其他N型结点呢？我知道的结论是N型结点会被抽负，成为一个新的负压。

peterlin2010

有很多 FAB 一听 pmic 要用 bcd ,且 psub   负压就说 不能 , 但 pmic driver ic 其实还是可做到

buckBoost => negative pwm  VN

boost => VP

pos_LDO => vpos

neg_LDO => vneg

pos_pump => VGH

neg_pump => VGL

VCOM => vcom  0~ -5v

temp_adc

DAC

..

负压要先去看 device cross-section . LV , MV , LDMOS 全都要小心去看 ..且 spice model 都 base on psub=0 , 实际chip  负压根 model ???  的

Lcd drviver ic 多数 hv thick oxide . 因为 hv 20v vgs 会比  vgs=5v 好多 .   且 lcd driver 电流也还好 , 内部 dickson pump 电流不大 只是电压高些 . 但是 现在 很多 pmic 是整合一起 .