BCD工艺负压问题

dddogda

请教各位前辈，在BCD工艺中，总是会听说N型弱节点要远离负压，否则会被抽、抽负，这个抽负是什么意思呢？在我理解中，负压N埋层、PSUB、N型弱节点分别组成三极管的发射极、基极、集电极，发射结正偏，集电极反偏，处于放大状态，电流从N型弱节点流向负压。可是当N型弱节点被抽到无法正偏时，比如小于0.7V，已经不处于放大状态，怎么被抽负呢？处理这类负压的措施是什么？

ZAI_AI

同问？？

peterlin2010

driver chip ??  

你先确定 bcd 有没 iso bjt ..有些有 iso nmos , iso_pmos .

但 bandgap  bjt 没  iso ..那 bandgap 没法bjt 去做 .

Zener 也须小心, 很多 zener 第三端 只能 psub , 如果 psub =sutrate 且负压  在打负压过程中 电位”floating”   除 latch Up .  psub 负压如有 ripple noise 那很致命的

1. psub = negative voltage负压

use iso device

psub = neg voltage
iso_nmos ,  dnw => avdd


should be careful "Latch Up"  , initial step , psub ,maybe =0v


2. psub =0v

  internal HVPW => negative voltage

  dnw /HVNW => avdd