tmsc65nm mom电容求助

里里

• 金属层（Metal）： 这是电容的两个极板，它们之间的电场导致电容效应。金属层的选择和设计会影响电容的电容值。此外，金属层也用于连接电容到电路中的其他部分。
• Poly层（Poly Silicon）： Poly层位于金属层下方，它在MOM电容结构中通常用于提供额外的电容，增加总电容值。这样的设计使得电容的电容值可以更容易地调整，以满足特定的设计要求。
• 有源区（Active Area，od）： 在有源区添加层的原因可能是为了提供更好的电容性能，同时确保与电路中其他元件的集成。有源区也可能用于实现一些电容的自举效应，这在某些电路中可能是有益的。
• Trench或Deep N-well层（tsmc工艺中的一种特殊层）： 这些层可能用于进一步调整电容的性能，或者用于隔离电容结构和邻近的器件。Trench结构也可以用于减小电容之间的干扰。
  
  

总体而言，这些额外的层和结构的添加旨在优化MOM电容的性能，使其更好地适应复杂的电路设计需求。这种定制化的设计允许工程师更精细地控制电容值、电容非线性和与周围电路的集成。