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[求助] tmsc65nm mom电容求助

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发表于 2023-12-17 02:09:33 | 显示全部楼层 |阅读模式
600资产

小弟最近使用tsmc工艺有两点疑惑
1.小弟最近在使用tsmc65nm工艺,发现tsmc的mom电容的金属下面有一个poly层还有有源区od,tsmc为啥会加这些层,希望那位大佬可以解释一下。



2.在网上下载的tsmc65nm工艺,mom电容需要额外的license,那位大佬有解决办法或者能否告知小弟哪里有完整的pdk

不胜感激!

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tsmc的mom电容的金属下面有一个poly层和有源区od的原因可能是以下几点: Poly层(Polysilicon): 在金属和氧化层之间添加poly层的目的可能是为了提高电容的匹配性能,降低电容的温度系数,以及减少电容的电压系数12。 有源区(Active Area,od): 在有源区添加层的原因可能是为了提供更好的电容性能,同时确保与电路中其他元件的集成3。 有源区也可能用于实现一些电容的自举效应,这在某些电路中可能是有益的3。 Trench或Deep N ...
发表于 2023-12-17 02:09:34 | 显示全部楼层
tsmc的mom电容的金属下面有一个poly层和有源区od的原因可能是以下几点:

Poly层(Polysilicon): 在金属和氧化层之间添加poly层的目的可能是为了提高电容的匹配性能,降低电容的温度系数,以及减少电容的电压系数12。
有源区(Active Area,od): 在有源区添加层的原因可能是为了提供更好的电容性能,同时确保与电路中其他元件的集成3。 有源区也可能用于实现一些电容的自举效应,这在某些电路中可能是有益的3。
Trench或Deep N-well层(tsmc工艺中的一种特殊层): 这些层可能用于进一步调整电容的性能,或者用于隔离电容结构和邻近的器件
发表于 2023-12-19 09:07:57 | 显示全部楼层
电容下的DIFF  工艺上控制寄生用的;
发表于 2023-12-21 13:18:11 | 显示全部楼层
  • 金属层(Metal): 这是电容的两个极板,它们之间的电场导致电容效应。金属层的选择和设计会影响电容的电容值。此外,金属层也用于连接电容到电路中的其他部分。
  • Poly层(Poly Silicon): Poly层位于金属层下方,它在MOM电容结构中通常用于提供额外的电容,增加总电容值。这样的设计使得电容的电容值可以更容易地调整,以满足特定的设计要求。
  • 有源区(Active Area,od): 在有源区添加层的原因可能是为了提供更好的电容性能,同时确保与电路中其他元件的集成。有源区也可能用于实现一些电容的自举效应,这在某些电路中可能是有益的。
  • Trench或Deep N-well层(tsmc工艺中的一种特殊层): 这些层可能用于进一步调整电容的性能,或者用于隔离电容结构和邻近的器件。Trench结构也可以用于减小电容之间的干扰。

总体而言,这些额外的层和结构的添加旨在优化MOM电容的性能,使其更好地适应复杂的电路设计需求。这种定制化的设计允许工程师更精细地控制电容值、电容非线性和与周围电路的集成。

发表于 2024-1-6 21:12:44 | 显示全部楼层
tsmc的mom电容的金属下面有一个poly层和有源区od的原因可能是以下几点:

Poly层(Polysilicon): 在金属和氧化层之间添加poly层的目的可能是为了提高电容的匹配性能,降低电容的温度系数,以及减少电容的电压系数12。
有源区(Active Area,od): 在有源区添加层的原因可能是为了提供更好的电容性能,同时确保与电路中其他元件的集成3。 有源区也可能用于实现一些电容的自举效应,这在某些电路中可能是有益的3。
Trench或Deep N-well层(tsmc工艺中的一种特殊层): 这些层可能用于进一步调整电容的性能,或者用于隔离电容结构和邻近的器件
发表于 2024-1-10 08:47:20 | 显示全部楼层
请问解决了吗
 楼主| 发表于 2024-1-12 17:48:03 | 显示全部楼层


没有,基本没希望的。
发表于 2024-7-10 10:13:13 | 显示全部楼层
你好,想问一下你用的tsmc65nm的mom电容,电容的耐压是如何设置的?是通过修改finger space来提高耐压值的吗?
发表于 2024-9-20 11:33:24 | 显示全部楼层


茯苓糕 发表于 2023-12-17 02:09
tsmc的mom电容的金属下面有一个poly层和有源区od的原因可能是以下几点:

Poly层(Polysilicon): 在金属 ...


谢谢大神
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