tmsc65nm mom电容求助

Foryan

小弟最近使用tsmc工艺有两点疑惑
1.小弟最近在使用tsmc65nm工艺，发现tsmc的mom电容的金属下面有一个poly层还有有源区od，tsmc为啥会加这些层，希望那位大佬可以解释一下。



2.在网上下载的tsmc65nm工艺，mom电容需要额外的license,那位大佬有解决办法或者能否告知小弟哪里有完整的pdk

不胜感激！

茯苓糕

tsmc的mom电容的金属下面有一个poly层和有源区od的原因可能是以下几点：

Poly层（Polysilicon）： 在金属和氧化层之间添加poly层的目的可能是为了提高电容的匹配性能，降低电容的温度系数，以及减少电容的电压系数12。
有源区（Active Area，od）： 在有源区添加层的原因可能是为了提供更好的电容性能，同时确保与电路中其他元件的集成3。 有源区也可能用于实现一些电容的自举效应，这在某些电路中可能是有益的3。
Trench或Deep N-well层（tsmc工艺中的一种特殊层）： 这些层可能用于进一步调整电容的性能，或者用于隔离电容结构和邻近的器件

ran1234

电容下的DIFF  工艺上控制寄生用的；

里里

• 金属层（Metal）： 这是电容的两个极板，它们之间的电场导致电容效应。金属层的选择和设计会影响电容的电容值。此外，金属层也用于连接电容到电路中的其他部分。
• Poly层（Poly Silicon）： Poly层位于金属层下方，它在MOM电容结构中通常用于提供额外的电容，增加总电容值。这样的设计使得电容的电容值可以更容易地调整，以满足特定的设计要求。
• 有源区（Active Area，od）： 在有源区添加层的原因可能是为了提供更好的电容性能，同时确保与电路中其他元件的集成。有源区也可能用于实现一些电容的自举效应，这在某些电路中可能是有益的。
• Trench或Deep N-well层（tsmc工艺中的一种特殊层）： 这些层可能用于进一步调整电容的性能，或者用于隔离电容结构和邻近的器件。Trench结构也可以用于减小电容之间的干扰。
  
  

总体而言，这些额外的层和结构的添加旨在优化MOM电容的性能，使其更好地适应复杂的电路设计需求。这种定制化的设计允许工程师更精细地控制电容值、电容非线性和与周围电路的集成。

茯苓糕

tsmc的mom电容的金属下面有一个poly层和有源区od的原因可能是以下几点：

Poly层（Polysilicon）： 在金属和氧化层之间添加poly层的目的可能是为了提高电容的匹配性能，降低电容的温度系数，以及减少电容的电压系数12。
有源区（Active Area，od）： 在有源区添加层的原因可能是为了提供更好的电容性能，同时确保与电路中其他元件的集成3。 有源区也可能用于实现一些电容的自举效应，这在某些电路中可能是有益的3。
Trench或Deep N-well层（tsmc工艺中的一种特殊层）： 这些层可能用于进一步调整电容的性能，或者用于隔离电容结构和邻近的器件

nt41445

请问解决了吗

Foryan

nt41445 发表于 2024-1-10 08:47
请问解决了吗

没有，基本没希望的。

lxu991061325

你好，想问一下你用的tsmc65nm的mom电容，电容的耐压是如何设置的？是通过修改finger space来提高耐压值的吗？

Ericsun666

茯苓糕 发表于 2023-12-17 02:09
tsmc的mom电容的金属下面有一个poly层和有源区od的原因可能是以下几点：

Poly层（Polysilicon）： 在金属 ...

谢谢大神