TSMC65nm标准单元库BUFFD的版图有点问题

heiqizh

这是65nm PDK给出的数字标准单元库某个buffer，两级反相器。许多pdk的标准单元库为了版图上节省M1空间，会通过有源区OD层的扩展，来将nmos/pmos的源极连接到电源地轨M1金属层上。但是这里的65nm给出的版图，对于中间绝大部分nmos源极的地连接，电源地轨只通过通孔ct连接到P注入的OD上，然后将P注入的OD和nmos的n注入OD短接。这里同注入类型的OD难道不会形成pn结，导致nmos的源极没有接上地么？有米有懂工艺的大佬解答一二

ps1：补两张图，让某些“基础还行”的人看清楚问题是怎么回事
ps2：是不是tsmc在加工上有特殊的处理方式，还请懂行的大佬赐教


补充内容 (2024-9-10 11:34):
有些节点工艺在foundry加工时，支持butting diffusion操作，可以将衬底和mos源极用OD短接而节省其中一侧的通孔。此贴完结

heiqizh

   

wx148520 发表于 2024-7-29 10:38
你看下这个图片里的nmos，觉得有问题不，图片出自模拟版图艺术第11章

没问题呀。这个nmos的源漏有通孔、衬底也有通孔，M1把两个接起来。问题是我给的这个BUFFD版图红圈里的nmos源区没有通孔啊。。。它是直接把n型源区接到p衬底上了

heiqizh

回错了。

heiqizh

   

maomao198477 发表于 2024-7-29 09:03
基础不行啊

虚心接受批评。不过版图红圈内的nmos源区没有通孔，还请您指教一下

heiqizh

   

wx148520 发表于 2024-8-2 10:53
你发的图片里的bulk接法和书上的其实一个意思，只不过你那个图片里的稍微变了形，书上的注入也是连在一起 ...

bulk的接法是相同的，但源极的接法不同。书上的注入连在一起，但二者都有独立的OD-M1通孔，相当于二者都直接并连到VSS这根线上，同时n注入和p衬底的pn结两端都是地电位。不是很明白你说的稍微变了形。图中buffD的源极没有OD-M1通孔，然后直接和bulk连在一起，源极电源要先流过pn结才从bulk的对地通孔流出，这里反向的pn结可是串联在源和地之间的，和书上完全是两种结构。

heiqizh

   

haydnzhang 发表于 2024-7-29 08:49
不会。不是节省M1，是为了BUFF面积更小。

在固定上下电源地轨（METAL1）的情况下，mos源区通过有源区od走线到轨区再向上M1打通孔，而不是先M1走线再连接到轨，这不正是节省M1在轨和轨之间的布线，从而给标准单元留下更多内部布线的空间，进而减少BUFF的面积么？再说这和我提的问题应该没关系吧