求助，这种【VDS】存在开启电压的晶体管是否可以有应用场合

eepi

这个和隧穿晶体管的延迟饱和效应效果一样了，不清楚楼主在p型GaN-MOS里做了哪些改动，无非就是源漏电压Vds在亚阈值区对沟道的建立、载流子的运动起到了较大作用。
这种输出特性，做反向器的话，过渡区曲线很软，如果是考虑频率的话也不能用在高频里；如果是做开关的话，应该还好，保证器件工作在饱和区。
我当时做TFET的时候这块没有深入研究，只做了一点点仿真。