PEX 提寄生参数遇到的问题

andyfan

不是很理解你说的是什么，RF管是有专门的版图和模型的；如果用FAB提供的RF管和模型，至少在T的流程里面，抽取的时候是BLOCK的，因为模型会包含部分RC参数，如果再次抽取就重复了；而且，器件本身因为multi finger带进来的效应参数，PDK里面会提供的，抽好RC后，走calibre vier反标的方式，就会带这些器件参数了。

如果自己拿逻辑管子做RF器件，而没有专门的RF的PDK，我觉得是很难准确的。RF的器件模型和逻辑的器件模型不是一个做法的。

andyfan

回复 3# Suriyel


   你调用一个RF CMOS的管子，然后输出网表，后面会带有各种效应参数，SA/SB/SCA/SCB这些，一大串。但提取寄生RC后，因为RF CMOS是BLOCK的，这些就都消失了，要反标回去才能带这些参数进行仿真。
   普通的MOS管，后缀带MAC的，也一样会输出，但抽寄生的时候，会按实际版图情况抽取这些参数。所以直接用抽寄生的网表直接仿真即可。

   40nm的工艺，因为有很多的器件效应，标准的BSIM4模型是不支持的，所以要通过子电路模型的方式去实现，就是你PDK里面看到的nch_mac，而普通的nch是不包含一些效应的。到28nm，就只提供_mac的选择了。

andyfan

回复 9# 账户已登录


   不止是RF这样，类似于电阻，MOM电容这些，都是BLOCK的，不会再额外进行抽取。具体有哪些，一般对照模型和LVS的文件是可以看出来的，每家FAB略有不同。
    你说的拿掉CONT之类的，如果在一个很靠谱的FAB提供的设计文件来说，是这个样子的，比如TSMC的DFM里面就专门有CONT PLACEMENT的效应。但实际上很多其他的FAB都没很准确的提供这些模型，所以这也是为什么很多FAB只能做T LIKE，然后接转单这种，就是因为提供不了这些准确设计需要的相关文件。如果在没有任何其他流片经验的前提下，你直接用国内某些FAB提供的设计文件，并量产成功40nm及以下工艺的产品，我只能说你运气实在太好了。（比如国内的S家，40nm类似于rounding effect，包括前面说的cont placement这些都是没有提供的，当然类似LOD/WPE/PSE/OSE这些相对标准的还是提供了，但需要LVS和模型配合提供的，就基本是缺失的），后端的itf文件，你和T的比较一下，也实在是简陋的可笑。
    你说的ESD前后仿的问题，在没确定理由的情况下，还是要选择相信后仿真。至于因为ESD的大电流造成前后差异大，可以试着在前仿真挂上一些预估的小电阻来看看能否解决。另外也要看FAB是否提供了专门的针对ESD的器件模型，比如T会对二极管专门提供后缀HIA的模型，就是专门针对ESD的。

andyfan

回复 7# Suriyel


   不好意思，没用过ADS啊！