如果做出来一个500nA以下的亚阈值带隙，具体能用在那个模块？

雪走之魂 · 发表于 2016-11-25 10:30:42

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

×

三极管一般做不到这么低功耗，势必要用亚阈值的MOS管，但是在芯片设计中，如果采用亚阈值，就是用成品率来担风险的做法，一般不可取的，那么问题来了，这么低功耗的亚阈值带隙，除了发表论文和期刊，论证学术，到底能不能用在实际的电路模块中呢？大家来讨论下吧~~~

雪走之魂 · 发表于 2016-11-25 15:08:16

回复 2# vdslafe

额……所以，不考虑成品率了吗？

雪走之魂 · 发表于 2016-11-25 15:33:10

回复 6# vdslafe

不用亚阈值，很难达到这么低的功耗，除非加电阻牺牲面积……

雪走之魂 · 发表于 2016-11-26 11:23:01

回复 4# fuyibin

做过的都有感触吧，三极管功耗很大的

雪走之魂 · 发表于 2016-11-26 11:23:42

回复 8# kwankwaner

这倒是，哈哈，现在主张低功耗的都很夸张了~

雪走之魂 · 发表于 2016-11-30 08:43:29

回复 12# fuyibin

很有道理，毕竟三极管利用的是比值的原理，mos管通常是为了节省面积才使用的，而亚阈值缺点太多了，温漂在工艺角上有残缺就不再提了，关键是电源抑制比也得不到基本的保证，这样对后面电路的噪声抑制基本没作为，感觉不是很适合放在芯片里。

雪走之魂 · 发表于 2016-11-30 08:46:15

回复 13# bright_pan

我就做过啊，就是因为缺点比优点多了太多，所以才想发个帖子讨论讨论，温漂很难控制的，做好了一个工艺角，另外两个就得血崩，电源抑制比特低，还不好上去，电压调整率也废，优点就是功耗小面积小，可是其他参数都不好，有毛用……

账号		自动登录	找回密码
密码			注册

[讨论] 如果做出来一个500nA以下的亚阈值带隙，具体能用在那个模块？