如果做出来一个500nA以下的亚阈值带隙，具体能用在那个模块？

雪走之魂 · 发表于 2016-11-25 10:30:42

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三极管一般做不到这么低功耗，势必要用亚阈值的MOS管，但是在芯片设计中，如果采用亚阈值，就是用成品率来担风险的做法，一般不可取的，那么问题来了，这么低功耗的亚阈值带隙，除了发表论文和期刊，论证学术，到底能不能用在实际的电路模块中呢？大家来讨论下吧~~~

vdslafe · 发表于 2016-11-25 10:46:51

回复 1# 雪走之魂

任何需要待机的模拟模块都需要。比如说超低功耗LDO,或者运放。

瑾微寒 · 发表于 2016-11-25 12:24:30

我是来学习的！

fuyibin · 发表于 2016-11-25 13:26:43

三极管一般做不到这么低功耗，势必要用亚阈值的MOS管，但是在芯片设计中，如果采用亚阈值，就是用成品率来担 ...
雪走之魂发表于 2016-11-25 10:30

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为什么三极管一般做不到这么低功耗，势必要用亚阈值的MOS管
有什么理论依据吗？

雪走之魂 · 发表于 2016-11-25 15:08:16

回复 2# vdslafe

额……所以，不考虑成品率了吗？

vdslafe · 发表于 2016-11-25 15:29:23

回复 5# 雪走之魂

我只是说500nA 以下的带隙很有实际用途，而且也用的不少，没有说一定用亚阈值来做。良率是工艺一致性和模型准确度决定的。

雪走之魂 · 发表于 2016-11-25 15:33:10

回复 6# vdslafe

不用亚阈值，很难达到这么低的功耗，除非加电阻牺牲面积……

kwankwaner · 发表于 2016-11-26 10:41:33

回复 1# 雪走之魂

500nA不能算低功耗啊，现在低功耗系统待机都要求1uA以内

雪走之魂 · 发表于 2016-11-26 11:23:01

回复 4# fuyibin

做过的都有感触吧，三极管功耗很大的

雪走之魂 · 发表于 2016-11-26 11:23:42

回复 8# kwankwaner

这倒是，哈哈，现在主张低功耗的都很夸张了~

[讨论] 如果做出来一个500nA以下的亚阈值带隙，具体能用在那个模块？