在线咨询 切换到宽版
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网

 找回密码
 注册

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

搜全文
查看: 17112|回复: 21

[讨论] 有关电容为什么要放在N阱里面的讨论

[复制链接]
发表于 2012-4-12 20:49:05 | 显示全部楼层
若是将Nmos做在NWell,则不会形成沟道,完全工作在积累区,其实此时的S/D已经不再做为源或者漏区分了,它们只是Nwell的接触而已,即使只用一端连接也是可以的。也就是楼上说的ND电容,但是此时的电容是工作在相当与P管的积累区,而不是N管的积累区。
回复 支持 反对

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

X

手机版| 小黑屋| 关于我们| 联系我们| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2025-9-16 21:51 , Processed in 0.012029 second(s), 4 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表