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[求助] 关于bandgap triming的问题

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发表于 2020-10-12 21:30:55 | 显示全部楼层 |阅读模式
20资产
什么是bandgap的triming?triming的目的是什么?trimming设计的关键又是什么?希望能有大佬给我大致解答一下。

发表于 2020-10-13 09:39:55 | 显示全部楼层
把调整bg最终电压的电阻用pad和pad连接起来,pad之间的连线用很细的金属连接,triming的时候把两个pad用大电流导通,这样断开pad间的细金属丝,改变bg电压。这个叫bg的triming。
triming的目的是提高bg电压的最终精度。
关键是各个pvt下都能trim到想得到的电压精度,就是档位设置的合理。
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发表于 2020-10-13 09:58:33 | 显示全部楼层
就是基准电压可以外部修调,因为实际tapeout出来的芯片总是多多少少和理想的情况有些差别,可以通过设置多位寄存器配置来略做调整,也可以采用外部金属fuse熔断来做调整,但前者可以灵活配置,后者熔断之后就不会恢复了
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发表于 7 天前 | 显示全部楼层
1.      Bandgap 会随 die –die 有偏差, trim 要集中
2.     trim step 能 保证 , trim 后可修回来 . 一般 cmos bg  trim range 1.2v +/- 300mv .  LSB 要多少要想, trim range 多大 ,  trim 后会不不会 变双 peak ??
3.     trim 有 currenttrim , laser trim , e-fuse  , Otp 常见
current trim :最早 tech  , PAD流大电流 烧断 metalfuse
laser trim : laser alignmark , metal fuse pitch 一般 7~10um, 这看测厂  因为有能量问题 如果 3um 不好控制 , fuse要同一排  降低 index time . CP1CP2  花时间 花钱 ,Fuse 有些m-1 layer  ,fuse 外要"开窗" 多一层fase mask ( fuse mask => profile 问题 )
efuse trim : 用内部 mos去烧 polyfuse , poly fuse 会拉高电压 force  烧, 一般20~50ma 保证能烧断 (开路拉 )
,
还有 不能一直流电到 polyfuse 可靠度问题 .power on 读完就关
   efuse 可以 package后烧, 缺点 e-fusemos . 且大电流都 serial , , bandgap有些太敏感 , package后会bandgap ~mv. 所以有些会 FTtrim (CP trim)
otp rom : 这不必说吧
rom : 就是 mask rom
fuse 很少 下一般用 laser , fuse otp  otp 512~1K ~2K  , efuse IP   一般 32bit ~64bit  
还有种 bandgap trimless. 不想花 TRIM 去找看看..

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