关于bandgap triming的问题

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什么是bandgap的triming？triming的目的是什么？trimming设计的关键又是什么？希望能有大佬给我大致解答一下。

andy2000a

1.      Bandgap 会随 die –die 有偏差, trim 要集中

2.     trim step 能 保证 , trim 后可修回来 . 一般 cmos bg  trim range 1.2v +/- 300mv .  LSB 要多少要想, trim range 多大 ,  trim 后会不不会 变双 peak ??

3.     trim 有 currenttrim , laser trim , e-fuse  , Otp 常见

current trim :最早 tech  , 需 PAD流大电流 烧断 metalfuse

laser trim : laser 需 alignmark , metal 的fuse pitch 一般 7~10um, 这看测厂  因为有能量问题 如果 3um 不好控制 , fuse要同一排  降低 index time .但 需 CP1CP2  花时间 花钱 ,Fuse 有些m-1 layer  ,fuse 外要"开窗" 或 多一层fase mask ( fuse mask => profile 问题 )

efuse trim : 用内部 mos去烧 polyfuse , poly fuse 会拉高电压 force  烧, 一般20~50ma 保证能烧断 (开路拉 )
, 还有 不能一直流电到 polyfuse 会 可靠度问题 .都power on 读完就关

   efuse 可以 package后烧, 缺点 e-fusemos 大. 且大电流都 serial 烧, 但 , bandgap有些太敏感 , 光 package后会bandgap飘 ~mv. 所以有些会 FTtrim (CP 不 trim)

otp rom : 这不必说吧

rom : 就是 mask rom

fuse 很少 下一般用 laser , fuse 多 otp  otp 多 512~1K ~2K  , efuse IP   一般 32bit ~64bit  

还有种 bandgap 是 trimless. 不想花 TRIM 去找看看..

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把调整bg最终电压的电阻用pad和pad连接起来，pad之间的连线用很细的金属连接，triming的时候把两个pad用大电流导通，这样断开pad间的细金属丝，改变bg电压。这个叫bg的triming。
triming的目的是提高bg电压的最终精度。
关键是各个pvt下都能trim到想得到的电压精度，就是档位设置的合理。

小琛

就是基准电压可以外部修调，因为实际tapeout出来的芯片总是多多少少和理想的情况有些差别，可以通过设置多位寄存器配置来略做调整，也可以采用外部金属fuse熔断来做调整，但前者可以灵活配置，后者熔断之后就不会恢复了

jeffej

一般 cmos bg  trim range 1.2v +/- 300mv, so large ? total 50%?

peterlin2010

Trimless bandgap reference voltage generator   
US4577119A

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有人做过么，最近在学这方面的