1. Bandgap 会随 die –die 有偏差, trim 要集中 2. trim step 能 保证 , trim 后可修回来 . 一般 cmos bg trim range 1.2v +/- 300mv . LSB 要多少要想, trim range 多大 , trim 后会不不会 变双 peak ?? 3. trim 有 currenttrim , laser trim , e-fuse , Otp 常见 current trim :最早 tech , 需 PAD流大电流 烧断 metalfuse laser trim : laser 需 alignmark , metal 的fuse pitch 一般 7~10um, 这看测厂 因为有能量问题 如果 3um 不好控制 , fuse要同一排 降低 index time .但 需 CP1CP2 花时间 花钱 ,Fuse 有些m-1 layer ,fuse 外要"开窗" 或 多一层fase mask ( fuse mask => profile 问题 ) efuse trim : 用内部 mos去烧 polyfuse , poly fuse 会拉高电压 force 烧, 一般20~50ma 保证能烧断 (开路拉 )
, 还有 不能一直流电到 polyfuse 会 可靠度问题 .都power on 读完就关 efuse 可以 package后烧, 缺点 e-fusemos 大. 且大电流都 serial 烧, 但 , bandgap有些太敏感 , 光 package后会bandgap飘 ~mv. 所以有些会 FTtrim (CP 不 trim) otp rom : 这不必说吧 rom : 就是 mask rom fuse 很少 下一般用 laser , fuse 多 otp otp 多 512~1K ~2K , efuse IP 一般 32bit ~64bit 还有种 bandgap 是 trimless. 不想花 TRIM 去找看看..
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