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查看: 5990|回复: 16

[求助] GGNMOS柵端接电阻串联到地上作用?

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发表于 2019-12-18 11:49:58 来自手机 | 显示全部楼层 |阅读模式

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请教各位大神,ESD设计成GGNMOS结构时,柵端串联电阻接到GND上,这个电阻的作用是什么?是越大越好吗?电阻类型POLY还是diff电阻更好一些?
发表于 2019-12-19 20:28:18 | 显示全部楼层
ESD设计成GGNMOS结构时,柵端串联电阻接到GND上,这个电阻的作用是什么?
耦合一个电压,让VT1比没有电阻的情况要低一点点

是越大越好吗?
不是。与工艺相关

电阻类型POLY还是diff电阻更好一些?
diff更好



发表于 2020-1-6 20:04:42 | 显示全部楼层
GCNMOS
发表于 2020-6-29 23:50:01 | 显示全部楼层
看看
发表于 2020-6-30 19:57:34 来自手机 | 显示全部楼层


andyjackcao 发表于 2019-12-19 20:28
ESD设计成GGNMOS结构时,柵端串联电阻接到GND上,这个电阻的作用是什么?
耦合一个电压,让VT1比没有电阻的 ...


为什么diff电阻要好?
发表于 2020-7-22 13:39:36 | 显示全部楼层
同问
发表于 2021-7-25 18:48:37 | 显示全部楼层
1.栅耦合,降低trigger电压;gate端的电阻越大理论上trigger电压越低。2.对gate oxide有一定的保护作用
发表于 2021-8-11 16:51:12 | 显示全部楼层


神谕_520 发表于 2021-7-25 18:48
1.栅耦合,降低trigger电压;gate端的电阻越大理论上trigger电压越低。2.对gate oxide有一定的保护作用 ...


您好,这个降低trigger电压这里还是不太明白,他接这个电阻是类似power clamp那样引入延时吗?感觉不太像呀,不太理解,还是想麻烦您细说一下
发表于 2021-8-11 16:53:16 | 显示全部楼层


andyjackcao 发表于 2019-12-19 20:28
ESD设计成GGNMOS结构时,柵端串联电阻接到GND上,这个电阻的作用是什么?
耦合一个电压,让VT1比没有电阻的 ...


您好,您的回答非常精练,还是有太多不懂得地方,比如为何串电阻就降低了Vt?还能麻烦您细说一下吗?
发表于 2021-8-27 17:22:43 | 显示全部楼层
相当于给gate上增加了电阻
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