关于bc_wc和ocv的区别？

X6J6P6 · 发表于 2011-3-20 11:39:04

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大家好，我现在worst和best分别只有一个库文件，如果我只用worst库文件，或者只用best库文件进行时序分析，在bc_wc模式下和在ocv模式下分析出来时序结果又什么区别吗？

idbi · 发表于 2011-3-20 11:50:07

ICC？

X6J6P6 · 发表于 2011-3-20 13:57:19

对，apr用的就是ICC。

yangzhuli · 发表于 2011-3-20 15:15:25

bc_wc和ocv是两个不同的感念，前者说的是标准单元多端角的一种，后者是讲同一标准单元在片上不同位置产生的延时不一样

fxcprince · 发表于 2011-3-21 12:24:57

前来学习下

杀猪的日子 · 发表于 2011-11-10 17:24:03

ocv 更保守一些

愚人ぅ林 · 发表于 2011-11-10 22:19:10

EDI的UG上面就有对这两种分析模式的说明。我记得是在specifyanalysismode那里吧，说的很清楚了

hawkz · 发表于 2011-11-11 08:57:26

bc-wc应该和MCMM放在一起讨论，作为90nm以前工艺，由于工艺的线性特征比较好，可以只看两个corner，其实是个省事但不严谨的做法，现在到90nm以下，没办法了，各个corner的setup/hold 都可能有问题，很难说看了那个另外几个可以不看的情况，所以就只能MCMM咯，所以MCMM也不是什么新技术，只是回归正道而已。

至于OCV，其实我一直觉得是一个霸道的设置，直接用设derate value的方式来假定每一条path都会出现片上偏差，其实是很悲观的。造成片上偏差，大概几个原因：工艺偏差（这个很难准确估计），电压偏差（就是ir-drop），噪声偏差（就是SI）。目前的流程SI分析已经用得很广了，其实把IR-drop对timing造成的影响做反标的技术也成熟，不过好像用得不多，再就是所谓的Area-based的OCV，不过好像用得也很少。不过传统OCV的做法太悲观，估计会慢慢被新的分析方法代替。

icfbicfb · 发表于 2011-11-11 23:58:07

AOCV （advanced OCV）用在28nm上啊，就是fab（比如tsmc）提供一个aocv table，
ocv 参数随着logic depth 变化的，一般用在clock path上， data path还用constant derate factor，

cadence推的 location based or stage based OCV 和AOCV 类似，一样的意思，

在ocv概念出来之前， bc-wc是最好的模拟，但是实际上不准， ocv 配合MCMM 是现在最清楚的描述方式
就是让pr工具和pt signoff一样，一个corner 一个mode 设一种corner 来run，很清楚，

你上面那个问题，即使是同一种lib， ocv和bc-wc的计算方法不一样的，特别是transition的计算方法
ocv更悲观些，你可以看pt的说明

Rofia · 发表于 2011-11-12 18:25:50

AOCV，这个好像更严格些。

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