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[求助] GGNMOS串联一个diode之后ESD能力

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大家好,请教一下,GGNMOS串联一个diode(Forward) ESD能力是否跟GGNMOS一致(打+ESD)?如果不一致,原因是什么?1 考虑纯粹是独立器件,没有内部电路;
2 diode为GGNMOS的寄生body diode;
3 类似io to io ESD;

谢谢!

本帖最后由 pavilionhappy 于 2018-10-11 23:24 编辑

顶一下顶一下现在在做芯片的ESD,只有GGNMOS…头疼啊……

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顶一下顶一下现在在做芯片的ESD,只有GGNMOS…头疼啊……
pavilionhappy 发表于 2018/10/11 23:22

大家好,请教一下,GGNMOS串联一个diode(Forward) ESD能力是否跟GGNMOS一致(打+ESD)?如果不一致,原因是什么?

1 考虑纯粹是独立器件,没有内部电路;  

2 diode为GGNMOS的寄生body diode;   

3 类似io to io ESD
  不管是分离器件实现的DIODE,还是CMOS/BiCMOS工艺中寄生的diode,ESD能力,取决于DIODE和GGNMOS各自的ESD特性。
  因为DIODE与GGNMOS串联,都至少要Pass最低电流,才能pass一定的ESD电压。
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