GGNMOS串联一个diode之后ESD能力

crazyboy

大家好，请教一下，GGNMOS串联一个diode（Forward） ESD能力是否跟GGNMOS一致（打+ESD）？如果不一致，原因是什么？1 考虑纯粹是独立器件，没有内部电路；
2 diode为GGNMOS的寄生body diode；
3 类似io to io ESD；

谢谢！

pavilionhappy

顶一下顶一下现在在做芯片的ESD，只有GGNMOS…头疼啊……

andyjackcao

顶一下顶一下现在在做芯片的ESD，只有GGNMOS…头疼啊……
pavilionhappy 发表于 2018/10/11 23:22

                               
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大家好，请教一下，GGNMOS串联一个diode（Forward） ESD能力是否跟GGNMOS一致（打+ESD）？如果不一致，原因是什么？

1 考虑纯粹是独立器件，没有内部电路；  

2 diode为GGNMOS的寄生body diode；   

3 类似io to io ESD
  不管是分离器件实现的DIODE，还是CMOS/BiCMOS工艺中寄生的diode，ESD能力，取决于DIODE和GGNMOS各自的ESD特性。
  因为DIODE与GGNMOS串联，都至少要Pass最低电流，才能pass一定的ESD电压。