layout中关于走线问题

单眼皮的乖女孩 · 发表于 2018-11-5 11:57:19

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layout中如果先走线过长就要跳到其他层再跳回来，这是天线效应，但多长算过长？
尺寸约小的工艺，金属越要避免在MOS上走线。
初画layout，时间比较紧迫，请各位大佬不吝分享经验。谢谢。

账户已登录 · 发表于 2018-11-5 13:22:57

跑一下天线效应相关的DRC，报错了你就跳呗（加二极管也可以），
走线面积和所接poly面积，diffusion面积要成一定比例，具体的比例你去rule里面查一下
工艺越小寄生越严重，似乎可以用来解释尽量避免在MOS上走线

gxd12 · 发表于 2018-11-5 14:34:54

回复 2# 账户已登录

工艺变小，Metal到gate间的垂直距离也会减小（CT的深宽比不能变太大），Metal层与层之间的距离也会减小，导致寄生电容变大

firewolf223 · 发表于 2018-11-5 18:08:48

如果不从device上走线，stdcell 还怎么做。
不要迷信

账户已登录 · 发表于 2018-11-6 09:04:52

回复 4# firewolf223

应该说的是模拟的管子吧，不过只要后仿能过都可以走，哈哈，只是会增加电路设计者的负担

单眼皮的乖女孩 · 发表于 2018-11-6 11:52:59

回复 2# 账户已登录

哇，又看到你给我回帖了，真心地感谢

firewolf223 · 发表于 2018-11-6 13:20:04

回复 5# 账户已登录

老工艺因为设备工艺太烂，所以有一些经验流传。但是从现在40nm 以下工艺从来没有人研究M1 对device的影响。如果这个真的会影响device的performance
那早就做到model 里去了，毕竟mask那么贵，影响比较大的效应早就研究的差不多了。

账户已登录 · 发表于 2018-11-6 14:40:18

回复 6# 单眼皮的乖女孩

因为我最近比较闲呐

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