TSMC018工艺MIM电容的天线效应问题

terry8876 · 发表于 2018-8-10 19:06:37

回复 10# 3cQScbr

1P6M工艺

x_logen · 发表于 2018-8-23 10:54:54

通过跳线可以解决 ANT问题

啓啟 · 发表于 2018-8-30 16:29:20

这个在design guide上面是有的。不过有个疑问，如果空间不够，直接waive掉这个报错，产品会有影响吗？

terry8876 · 发表于 2018-8-31 15:57:26

回复 13# 啓啟

不好保证，可能有可能没有。但既然工艺厂给出这种要求了，说明还是有危害性，可以的话最好还是解决掉。

register_623 · 发表于 2018-9-26 18:12:52

我遇到了另一个情况，我的工艺是.25的1P2M tsmcGPIIA的，支持的是MIM 也就是 M2-M3电容，我在连接的时候没有转至顶层，而是直接将底层金属M2连到了GATE上，并没有报错，我查询了一下，ANT文件没有类似的这段，同时我又查询了一份.25 BCD的，ANT文件里面就有这段话，所以有大神能指点一下吗！？谢谢。

不一样1 · 发表于 2020-10-30 10:16:20

3cQScbr 发表于 2018-8-10 09:36
回复 9# terry8876

那PCELL的下极板为什么没有直接做成M6

很多工艺都是这样

大力射门 · 发表于 2020-10-30 13:47:19

下极板做成M6？
1P2M有M3？

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