怎么解释mos管静态工作点显示的gm与计算值不同的问题？？

liliheqing

如图所示：mos管的静态工作点显示gm=20m，但若用gm=2*Id/(vgs-Vth)计算，则是49m，请问这如何解释？？

rayhardenne

在Vov很小的情况下，Vov的设计方法已经不适用了，要用gm/Id的设计方法了

liliheqing

回复 2# rayhardenne

谢谢你的回答，你说的Vov是过驱动电压吗，我这个过驱动电压显示Vod=40.8mV，请问适用于你说的Vov方法吗，另外，请问你说的gm/Id是什么设计方法，与你说的Vov设计方法有什么异同，烦请详细说明一下，谢谢你！！！

rayhardenne

回复  rayhardenne

谢谢你的回答，你说的Vov是过驱动电压吗，我这个过驱动电压显示Vod=40.8mV，请问适用 ...
liliheqing 发表于 2018-7-30 17:40

                               
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http://bbs.eetop.cn/thread-622998-1-1.html这个帖子讲的挺详细的

rayhardenne

回复 3# liliheqing


   http://bbs.eetop.cn/thread-622998-1-1.html这个帖子讲的挺详细的

liliheqing

回复 5# rayhardenne

好的，我看看，谢谢你

liliheqing

回复 5# rayhardenne

你好，另外我想请教下，静态操作点列出来的参数可以用来做简单的计算吗，就是说用他给出的参数计算与实际的工作情况相比较差别大吗，谢谢你。

mysteriousemp

回复 3# liliheqing

我觉得其实在这里真实的过驱动电压应该不是你用vgs-vth算出来的那个40.8mv的值了，而是你表上面直接显示的vdsat。也就是说比如平时工作在饱和区需要满足vds > vgs - vth, 在这里变成了vds > vdsat即可。
至于为什么vdsat在这里不等于vgs - vth 论坛里面有帖子谈到这个问题了的，其实也可以侧面回答你提出说算的和显示的gm不同。
这里的计算只能说作为一个估算，因为实际用的计算模型已经不是简简单单书上讲的那个模型了。

dires1118@126.c

首先要明确你使用的process是什么，对于long channel process（L>=1um）的手算推倒gm=2ID/(VGS-VTH)跟spice几乎是很接近的，如果是short channel process（L<=1um）的就不能使用你那个手算公式了，应该是gm=VSAT*COX*W，其中VSAT为载子饱和速度，跟Length的取值有关。对于现在常用的process如0.18um或0.35um或90nm等都应该使用gm=VSAT*COX*W来手工计算，这时跟spice的结果接近。

s橙子s

这个需要对于MOS器件重新认识一下。只有长沟器件才能近似用平方率模型来描述MOS器件的I-V特性。但这并没有考虑器件的各种二级效应。所以平方率模型总的来说是让大家对电路有个定性认识理解。现在业界软件中模拟用到的器件模型为BSIM。其模拟得到的器件参数较为精确，综合考虑了各种效应。所以手算和你模拟出来的会有差别。而且平方率忽略了器件一些有意思的特性，比如亚阈值特性。所以对于器件，要考虑你所用的模型是否适用。而gm/Id的设计方法就是利用仿真得到的参数来预估器件的设计尺寸。