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发表于 2017-2-25 09:50:21
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回复 2# cmfjxga
那我就简单的翻译一下EE240和《A basic introduction to the gm/Id based design》原作者的大意
我们知道,在长沟道器件设计中,设计的起始通常是为管子选取一个合适的过驱动电压Vov,因为当固定Vov后,由公式Vov=2Id/gm可知,仅仅简单的增加流过管子的电流就可以线性的增加电路的gm,也即增加了电路的增益。此外,管子的速度即特征频率Ft与过驱动电压Vov呈正比例关系,选定了Vov就基本确定了电路的速度,因此在长沟道下,Vov是一个对电路刻画很方便的变量。
由于上述结论都是基于平方率推导,在短沟道器件的情况下,用Vov作为设计的起始点通常会带来极大的偏差,严重时计算与仿真会差一个数量级。由上面我们的讨论,我们知道,实际上刻画电路本质的是gm/Id这个变量,只不过这个变量在长沟道下退化成了2/Vov而已,因此我们在短沟道下用gm/Id作为设计的起点,选择大的gm/Id则电路偏向高增益低功耗但低速,选择小的gm/Id电路偏向高速但增益低功耗大。
采用这个方法我们需要获得特征频率ft VS gm/Id, 本证增益gmro VS gm/Id及电流密度Id/W VS gm/Id三组曲线,通常的设计步骤是:
1、 通过电路的增益需求,在gmro VS gm/Id的曲线上选择合适的沟道长度L
2、 根据噪声,失调,速度等spec以ft VS gm/Id曲线为管子分配合适的gm/Id
3、 根据零极点分布,确定各个管子的gm
4、 由gm/Id计算Id
5、 根据Id以Id/W VS gm/Id曲线为依据计算W
至此,电路的所有参数皆设计完毕
原课程及附件很长的内容由我这么几句肯定说的不透彻,建议还是参考原作
附上《A basic introduction to the gm/Id based design》
A Basic Introduction to the gm ID-Based Design.pdf
(3.27 MB , 下载次数:
2427 )
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