请教大牛FF和lvt之间的关系

xiyuanbaili · 发表于 2017-9-16 11:51:40

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FF和lvt是否都是通过调整掺杂，来降低阈值电压，提高速度？

比如一个设计，方法1：全部使用svt器件，这样如果流片的用TT，频率做不到1G，采用FF拉偏，频率达到1G，方法2：部分使用lvt，流片时候用TT，也达到1G，是否一样？

chenyongfus · 发表于 2017-9-18 09:58:11

本帖最后由 chenyongfus 于 2017-9-18 10:07 编辑

第一种可能导致工艺window 太窄, 良率不稳. 个人倾向第二种

wang439 · 发表于 2017-9-19 10:13:04

弱弱的问一下，所谓的FF拉偏是指什么？难道有办法特意做出偏FF的芯片？

xiyuanbaili · 发表于 2017-9-19 10:24:40

回复 2# chenyongfus

我看到有说法说FF后良率会更好一些？可能和频率指标相关？

xiyuanbaili · 发表于 2017-9-19 10:25:47

回复 3# wang439

我理解是通过掺杂等，一定程度降低晶体管的阈值电压等参数，提高性能。还是听专业人员来解释

chenyongfus · 发表于 2017-9-19 11:00:22

回复 4# xiyuanbaili

都有可能, 要看工艺window 在哪里, 就是device 快了好还是慢了好. 之前说的可能导致良率不稳定,现在想想欠妥. 另外, 拉偏就是通过调整阱的浓度, LDD等来实现device 快慢的调节.

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