求助深n阱的添加方法？

小小L · 发表于 2017-5-16 23:34:59

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想给RF的MOS管周围加上深n阱，以隔离噪声等，是自己手动画上去还是有什么其他的方法？谢谢。

Snowy2016 · 发表于 2017-5-17 08:38:15

应该是要手画，还要注意design rule及well电位等。
LZ是说“RF的MOS管周围加上深n阱”，把RF device都做在深n阱里面应该会更好吧！

motofatfat · 发表于 2017-5-17 09:54:37

有些 PDK 有元件 ,
沒有的話就自己加了

小小L · 发表于 2017-5-17 10:27:04

回复 2# Snowy2016
谢谢你的回答，那你说的RF device具体是指些什么呢，是不是包括电感，电容之类的（我用的电容是普通的MIM电容，不是rf的好像）

小小L · 发表于 2017-5-17 10:51:51

回复 3# motofatfat
好的，我懂了，谢谢

Snowy2016 · 发表于 2017-5-18 08:53:42

回复 4# 小小L

就是你RF模块里面所有的器件，因为你的标题里面只写到MOS，还有可能有电阻、电容等，都一起放深N well里面。即使RF模块里面你用的是普通的MIM电容，如果它们工作在高频高速条件下，产生的noise仍会影响到别的模块。

大力射门 · 发表于 2017-5-18 09:50:59

回复小小L

就是你RF模块里面所有的器件，因为你的标题里面只写到MOS，还有可能有电阻、电容等，都一起 ...
Snowy2016 发表于 2017-5-18 08:53

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放在深井里，模型也要跟着变吧？

小小L · 发表于 2017-5-18 11:27:39

回复 6# Snowy2016
这样啊，我做的是单片的LNA，是不是最好也要分别对各个器件进行深N阱的隔离呢？感谢回答。

Snowy2016 · 发表于 2017-5-19 08:48:19

回复 7# 大力射门

有可能，根据制程实际情况吧！如果要变，那就要和designer沟通看是否有必要了，并且这种RF的模块一般都要跑后仿确认性能是否OK。

Snowy2016 · 发表于 2017-5-19 08:51:30

回复 8# 小小L

对各个器件隔离应该不太需要吧！可以和designer讨论，根据实际工作频率、功能等是否需要分模块隔离，也或许都放在一个深N well里面也还好，case to case吧，取决于实际情况。

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