N阱和P阱多晶硅电阻的区别？使用方法讨论

wink1988 · 发表于 2017-4-14 08:57:04

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poly Res，即多晶硅电阻，是我们IC设计中常用的一种电阻。它也具有两种不同类型的电阻：N plus和P plus。

请问哪位大神能说明一下这两种电阻的区别？

使用时，我常用N-well将整个电阻区覆盖上，并围上N tap，即给上电阻的VDD沉底点位（因为nwell隔离噪声比较好）。

那请问是否n+和p+两种电阻都能盖NWELL？给VDD沉底点位？至少目前我使用起来发现这两种不同类型电阻都盖nwell都没甚没问题。

夏雨123 · 发表于 2017-4-14 10:33:31

最近也很疑惑，p+poly注入了P+是有什么用

fzu_physics · 发表于 2017-4-14 14:00:49

POLY RES 下面用NW只是起到隔离衬底噪声的作用，在NW上面的POLY RES 加N+ 或者P+ 掺杂都可以，不同点就是N+和P+掺杂后的电阻率不一样，没什么其他的作用啊

wink1988 · 发表于 2017-4-14 22:20:42

回复 3# fzu_physics

但是我记得好像是28nm还是16nm的工艺，poly电阻的模型里面能够选择well类型，那不同的well类型对应的参杂类型不同。似乎好像有某种对应关系。

xinchip · 发表于 2017-4-17 20:07:06

温度系数不同

SamuelShaw · 发表于 2021-7-6 21:13:04

学习

fdy · 发表于 2021-12-9 09:58:46

xinchip 发表于 2017-4-17 20:07
温度系数不同

请问一下哪种电阻的温度系数比较好

set · 发表于 2022-1-6 11:21:15

fdy 发表于 2021-12-9 09:58
请问一下哪种电阻的温度系数比较好

我是一个designer 目前据我的了解具体哪种电阻的温度系数较小需要查看该工艺的文档里面有说明该工艺下的各个电阻的温度系数大小

skydreamer · 发表于 2022-9-26 14:43:23

学习了。。。

piao · 发表于 2022-9-28 00:31:18

学习中

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