为什么LED驱动芯片很少有同步整流的？

hiwzy · 发表于 2017-2-23 23:42:21

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LED驱动芯片比如3.7v升35V，驱动一串LED，一般都是异步的，不是同步整流的？自己感觉，可能是同步PMOS的栅极驱动比较难做。不知道对不对？
QQ截图20170223234356.jpg

hiwzy · 发表于 2017-2-23 23:49:34

如果PMOS是HVMOS的话，一般栅驱动电压是0-5V,Vds电压可以到40V耐压。驱动它需要一个level shift ，而且需要大电流驱动能力，这样的驱动感觉想不出电路可以实现？

andy2000a · 发表于 2017-2-24 09:34:13

LED驱动芯片比如3.7v升35V，驱动一串LED，一般都是异步的，不是同步整流的？自己感觉，可能是同步PMOS的栅 ...
hiwzy 发表于 2017-2-23 23:42

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同步一般使用
nmos, 因为 pmos同样
rdson 比nmos 大快2倍多,

很多
dc-dc 都使用
charge_pump/ boostrap 使用
nmos .

另外外面一般 power mos 你去看
高压 > 400v 都是nmos 为主
,

至于低压
< 30v 几a
等级的power MOS pmos 也不多.

SOP8 那类小mos 內 2颗
比较会
p+n.

aircraft · 发表于 2017-2-24 09:45:17

低压的情况我见的都是用同步的做的

yeeyoor · 发表于 2017-2-24 11:45:01

点错点错。。

hiwzy · 发表于 2017-2-24 13:40:32

回复 3# andy2000a

感觉一般BUCK型用双NMOS的很多，可以使用boostrap技术。但是BOOST型，不管采用NMOS或者PMOS同步整流管，对于那些升压倍率很高的场合（比如LED驱动，升压10倍），很难使用charge_pump/ boostrap来实现栅控制，因为需要升压倍率很高才可以有效的控制栅压。
不知道我的想法对不对？

hiwzy · 发表于 2017-2-24 13:44:25

回复 4# aircraft

你说的是LED驱动还是boost DCDC？一般LED升压倍率很高，需要HVPMOS做同步整流管。这样栅压需要升压，就需要boostrap之类的，但是要求升压很高并且有一定的驱动能力，个人没有好的想法实现，这个你怎么看？

loopgain · 发表于 2017-2-24 15:08:48

与成本有关，升压型集成pmos成本很高

hiwzy · 发表于 2017-2-27 12:12:56

回复 8# loopgain

对于高升压比的同步整流，技术上有没有什么难度？

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