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查看: 4033|回复: 8

[求助] 为什么LED驱动芯片很少有同步整流的?

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发表于 2017-2-23 23:42:21 | 显示全部楼层 |阅读模式

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LED驱动芯片 比如3.7v升35V,驱动一串LED,一般都是异步的,不是同步整流的?自己感觉,可能是同步PMOS的栅极驱动比较难做。不知道对不对?
QQ截图20170223234356.jpg
 楼主| 发表于 2017-2-23 23:49:34 | 显示全部楼层
如果PMOS是HVMOS的话,一般栅驱动电压是0-5V,Vds电压可以到40V耐压。驱动它需要一个level shift ,而且需要大电流驱动能力,这样的驱动感觉想不出电路可以实现?
发表于 2017-2-24 09:34:13 | 显示全部楼层



  


同步一般使用
nmos, 因为 pmos同样
rdson nmos 大快2倍多,


很多
dc-dc 都使用
charge_pump/ boostrap 使用
nmos .


另外外面一般 power mos 你去看
高压 > 400v 都是nmos 为主  
,

至于低压
< 30v a
等级的power MOS  pmos 也不多.  


SOP8
那类小mos 內 2
比较会
p+n.

发表于 2017-2-24 09:45:17 | 显示全部楼层
低压的情况 我见的都是用同步的做的
发表于 2017-2-24 11:45:01 | 显示全部楼层
点错点错。。
 楼主| 发表于 2017-2-24 13:40:32 | 显示全部楼层
回复 3# andy2000a


感觉一般BUCK型用双NMOS的很多,可以使用boostrap技术。但是BOOST型,不管采用NMOS或者PMOS同步整流管,对于那些升压倍率很高的场合(比如LED驱动,升压10倍),很难使用charge_pump/ boostrap来实现栅控制,因为需要升压倍率很高才可以有效的控制栅压。
不知道我的想法对不对?
 楼主| 发表于 2017-2-24 13:44:25 | 显示全部楼层
回复 4# aircraft


你说的是LED驱动还是boost DCDC?一般LED升压倍率很高,需要HVPMOS做同步整流管。这样栅压需要升压,就需要boostrap之类的,但是要求升压很高并且有一定的驱动能力,个人没有好的想法实现,这个你怎么看?
发表于 2017-2-24 15:08:48 | 显示全部楼层
与成本有关,升压型集成pmos成本很高
 楼主| 发表于 2017-2-27 12:12:56 | 显示全部楼层
回复 8# loopgain


   对于高升压比的同步整流,技术上有没有什么难度?
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